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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology C 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
14.4
13.2
写入速度,GB/s
9.5
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1983
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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