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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
14.4
17.1
写入速度,GB/s
9.5
15.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3520
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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