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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
55
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
55
读取速度,GB/s
14.4
16.4
写入速度,GB/s
9.5
13.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2612
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.A1G9O.9K4 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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