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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
14.4
13.2
写入速度,GB/s
9.5
5.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1699
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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