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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
35
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
21
读取速度,GB/s
14.4
15.1
写入速度,GB/s
9.5
7.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2250
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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