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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
40
读取速度,GB/s
14.4
15.6
写入速度,GB/s
9.5
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3034
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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