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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
14.4
18.2
写入速度,GB/s
9.5
16.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3748
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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