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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
26
读取速度,GB/s
14.4
25.3
写入速度,GB/s
9.5
21.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
4252
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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