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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9905630-007.A00G 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
14.4
14.2
写入速度,GB/s
9.5
9.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2387
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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