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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston 9965643-006.A01G 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
79
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
79
读取速度,GB/s
14.4
12.4
写入速度,GB/s
9.5
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1721
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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