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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston KHX426C13/8G 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston KHX426C13/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX426C13/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
14.4
13.7
写入速度,GB/s
9.5
7.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2610
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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