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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
38
读取速度,GB/s
14.4
9.3
写入速度,GB/s
9.5
6.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
1493
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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