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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
9.7
17.2
写入速度,GB/s
7.2
13.0
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3228
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
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