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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
9.7
19.9
写入速度,GB/s
7.2
19.5
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
4150
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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