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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
52
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
26
读取速度,GB/s
9.7
19.2
写入速度,GB/s
7.2
15.6
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3865
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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