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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
96
左右 46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
4.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
96
读取速度,GB/s
9.7
11.0
写入速度,GB/s
7.2
4.8
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
1062
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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