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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
52
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
33
读取速度,GB/s
9.7
16.2
写入速度,GB/s
7.2
12.6
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2941
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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