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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
9.7
18.5
写入速度,GB/s
7.2
13.7
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3283
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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