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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
9.7
17.8
写入速度,GB/s
7.2
13.0
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3115
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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