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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
52
左右 -189% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
18
读取速度,GB/s
9.7
20.6
写入速度,GB/s
7.2
18.6
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3607
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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