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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
9.7
17.8
写入速度,GB/s
7.2
14.3
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3568
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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