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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
67
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
67
读取速度,GB/s
9.7
14.4
写入速度,GB/s
7.2
7.4
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
1693
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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