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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
9.7
15.8
写入速度,GB/s
7.2
12.6
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2835
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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