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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14900
左右 1.72 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
9.7
18.6
写入速度,GB/s
7.2
15.3
内存带宽,mbps
14900
25600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3372
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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