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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.7
14.1
写入速度,GB/s
7.2
8.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2436
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
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