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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
52
左右 -49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14900
左右 1.72 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
35
读取速度,GB/s
9.7
15.1
写入速度,GB/s
7.2
9.2
内存带宽,mbps
14900
25600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2488
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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