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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
73
左右 29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
73
读取速度,GB/s
9.7
14.1
写入速度,GB/s
7.2
7.1
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
1609
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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