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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
52
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
40
读取速度,GB/s
9.7
15.0
写入速度,GB/s
7.2
11.2
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2100
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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