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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
53
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
53
读取速度,GB/s
9.7
17.5
写入速度,GB/s
7.2
9.6
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2310
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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