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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

总分
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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB 需要考虑的原因
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 30
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.3 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 14200
    左右 1.35 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2272 left arrow 2637

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Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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内存RAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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内存RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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