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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
13.3
14.3
写入速度,GB/s
8.5
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2839
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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