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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
13.3
16.9
写入速度,GB/s
8.5
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3331
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965434-069.A00LF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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