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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
13.3
17.8
写入速度,GB/s
8.5
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3645
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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