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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
19
读取速度,GB/s
13.3
18.8
写入速度,GB/s
8.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2991
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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