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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
13.3
14.5
写入速度,GB/s
8.5
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2664
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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