RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

总分
star star star star star
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 38
    左右 26% 更低的延时
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.6 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 14.6
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2213 left arrow 2915

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB RAM的比较

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
内存RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
内存RAM