RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
20
读取速度,GB/s
13.3
20.1
写入速度,GB/s
8.5
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3726
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link