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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

总分
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

总分
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 34
    左右 18% 更低的延时
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB 需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2213 left arrow 2917

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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内存RAM
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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内存RAM
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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