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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
13.3
15.0
写入速度,GB/s
8.5
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
2685
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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