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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.9
13.5
写入速度,GB/s
8.7
6.8
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2172
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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