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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.9
16.3
写入速度,GB/s
8.7
15.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3205
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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