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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
差异
规格
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.9
17.9
写入速度,GB/s
8.7
16.0
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3795
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F26UB16GH 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
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