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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.9
16.8
写入速度,GB/s
8.7
11.0
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3072
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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