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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.9
16.5
写入速度,GB/s
8.7
12.6
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2755
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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