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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
35
读取速度,GB/s
10.9
19.3
写入速度,GB/s
8.7
15.2
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3525
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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