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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.9
16.4
写入速度,GB/s
8.7
11.9
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3036
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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