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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
64
左右 23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
64
读取速度,GB/s
10.9
16.5
写入速度,GB/s
8.7
8.1
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2016
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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