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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.9
18.1
写入速度,GB/s
8.7
13.8
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3125
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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