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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.9
17.0
写入速度,GB/s
8.7
13.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3207
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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