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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.9
20.2
写入速度,GB/s
8.7
16.9
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3844
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
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